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一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料及其制备方法

  • 专利名称:一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料及其制备方法
  • 专利号:ZL 201610819330.2
  • 专利类型:发明专利
  • 数据类型:开放许可
  • 所属分类:化学;冶金
  • 主分类号:C08L27/16
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(权利)人:沈阳化工大学
  • 授权公告日:2018-09-11
  • 申请日:2016-09-13
  • 价格:无偿元

开放许可详情

费用支付标准0元费用支付方式无偿
生效日2025-11-18许可期限届满日2030-12-16
声明编号XK2025980014340

专利摘要

一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料及其制备方法,属于压电阻尼复合材料制备领域。首先利用水热法制备片状氧化锌,并用偶联剂对其处理,另一方面将聚偏氟乙烯(PVDF)粉末溶解在其良溶剂中,然后将二者混合通过热压成型的方法制备出片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料。其利用PVDF的压电性使机械振动更多的转化为了电能,提高了材料的阻尼效果,防止了传统阻尼材料易产生的热失效问题,且由于片状ZnO的引入有效的提高了其力学性能和压电性能,进而也使其阻尼效果得以改善。此外该方法产品性能稳定,易工业化生产,可广泛用于制备桥梁汽车的减振制品及吸波防腐涂料等。

联系信息

联系人姓名:宿鑫 邮编:110142 地址:辽宁省沈阳 市沈阳经济技术开发区11号街 电话:13998146966